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约32亿元中业项b)一个Sb2Se3/In2S3核/壳纳米棒的TEM图像。建能配e)不同缓冲层的Sb2Se3太阳能电池的EQE谱。

光伏该成果以题为ConductionBandEnergy-LevelEngineeringforImprovingOpen-CircuitVoltageinAntimonySelenideNanorodArraySolarCells发表在了Adv.Sci.上。与传统的平面结构薄膜太阳能电池相比，制氢Sb2Se3纳米棒阵列太阳能电池具有优良的广谱响应特性和更高的短路电流密度。因此，及氢控制Sb2Se3晶粒的晶体取向对吸收层的质量和太阳能电池的器件性能非常关键。

图5 In2S3-CdS复合层(C7)的XPS和UPS分析a)C7在不同蚀刻时间（0、目获125、250、375、500和600s）下的In3d、Cd3d和S2p的XPS光谱。【成果简介】近日，投资套产在河北大学李志强副教授团队等人带领下，投资套产构建了一个相互啮合的In2S3纳米片-CdS复合材料作为缓冲层，紧密地涂覆在Sb2Se3纳米棒表面。

【小结】综上所述，约32亿元中业项低温溶液加工的In2S3纳米片/CdS复合层是Sb2Se3纳米棒阵列太阳能电池的有效缓冲层。

该器件具有1.1~1.3eV的带隙，建能配可见光区吸收系数为105 cm−1，载流子迁移率高，器件稳定性好。因为肝含有大量维生素A，光伏会引起维生素A中毒。

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