此外，跳槽通过进一步优化萃取剂的量、跳槽反应的温度和时间，可以获得更好的过渡金属的梯度和富锂/贫锂的梯度曲线，从而有助于实现HACR正极的最佳电化学性能。

时多小结本工作通过边界同质外延的方法直接在SiO2/Si基底上合成出InSe纳米线阵列。该项研究得到微结构科学与技术协同创新中心的支持，涨薪以及国家杰出青年科学基金、涨薪科技部量子调控国家重大科学研究计划（青年科学家专题）项目、国家自然科学基金、中央高校基本科研业务费和中国博士后科学基金等项目的资助。

边界同质外延生长纳米线的生长机制为：幅度在较低温度下，首先生长出硒化铟的单晶纳米片。合理此工作所提出的边界同质外延法也为硅基底上直接生长半导体纳米线阵列开拓一个可行的途径。图三、跳槽纳米线的边界同质外延生长机制(a-d)纳米片与纳米线的扫描电镜图、EDS图以及对应的能谱图。

此外，时多生长高质量半导体纳米线平面阵列通常需要单晶基底，如蓝宝石、氮化镓和碳化硅等。这些单晶基底价格昂贵，涨薪而且时常面临晶格失配的问题，限制了其广泛应用。

幅度(e)边界同质外延生长纳米线阵列的机理示意图。

图二、合理InSe纳米线的结构表征(a,b)所合成纳米片和纳米线的光致发光和拉曼图谱。研究方向包括：跳槽(1)纳米材料的合成、组装和表征。

担任国际催化协会委员，时多任中国化学会第28届和第29届理事会副理事长，2012年起任中国化学会催化专业委员会主任。2016年获国际天然气转化杰出成就奖，涨薪被评为中央电视台2016年度十大科技创新人物。

过去五年中，幅度卢柯团队在Nature和Science上共发表了三篇文章。而是确有其事，合理上海科技大学与海外学者合作较多，所以挂名了6篇NS并不为奇。